高盛1月渠道调查显示，DRAM合约价格近期面临极强的上涨动力。核心逻辑在于现货价格已相对合约价格产生巨大溢价，这种价差将驱动合约价格大幅补涨。
现货市场狂飙：DDR4溢价率高达172%
目前市场定价严重脱节，预示着合约价格必须大幅调整。
- DDR5：目前交易价格相较于12月合约价格拥有76%的溢价。
- DDR4：溢价更为惊人，高达172%。如此巨大的“剪刀差”，意味着下游客户在价格谈判中筹码有限。
AI服务器需求：连续13个月高增长
硬件需求因AI服务器出货攀升而加速。
- 12月服务器ODM月度营收同比飙升94%。
- 这是该数据连续第13个月保持50%以上的同比高增长。
- 作为领先指标，信骅科技(Aspeed)在2025年12月依然实现了18%的同比增长。
厂商营收激增：南亚科营收暴涨445%
二线厂商数据证实了广泛的涨价潮。
- 中国台湾DRAM供应商南亚科技12月营收同比暴增445%。
- 这标志着其连续5个月实现三位数同比增长，且增速逐月加快。
- 韩国DRAM出口额在12月也录得72%的同比增长，验证了供应紧张推高价格的趋势。
渠道反馈：客户接受更大幅度涨价
高盛一线渠道检查显示，市场对2026年第一季度存储价格涨幅的预期持续攀升。
- 关键信号：移动端市场的特定客户已开始接受2026年第一季度的报价。
- 涨幅超预期：无论是DRAM还是NAND，新接受的涨价幅度都明显高于2025年第四季度达成的协议。
HBM与估值：三星与SK海力士的目标价
尽管市场对HBM定价存在分歧，但出货量增长依然强劲。
- 量增：高盛预计HBM出货量增速将比市场共识高出9个百分点。
- 价减：由于预期HBM3E 12-Hi定价会有显著削减，高盛对价格的预期比共识低17个百分点。
投资评级与目标价：
基于上述基本面，高盛维持对韩国两大巨头的“买入”评级：
- 三星电子：12个月目标价180,000韩元。预计其1Q26 DRAM平均售价(ASP)将环比增长约50%。
- SK海力士：12个月目标价700,000韩元。高盛给予其相对于三星30%的AI溢价。
