《The Information》援引知情人士消息，长鑫存储已开始小批量生产HBM3E，并计划于2027年扩大产量。HBM作为AI芯片旁的高速内存，是国产AI芯片的关键短板。

目前，寒武纪、阿里平头哥等团队已在测试长鑫的HBM，若进展顺利，最快明年将用于产品。HBM3E正是英伟达H200与Blackwell所用的内存代际。按产品代际看，长鑫仅落后于SK海力士、三星、美光正量产的HBM4一代。

不过，小批量生产距离成熟量产仍有距离。长鑫HBM3E的良率仍偏低，速度与可靠性不及三大厂。SK海力士早在2024年已量产HBM3E，三大厂现已进入HBM4阶段并开始送样HBM4E。

长鑫此次跨过了“能否做出来”的门槛，下一关则是提升良率与产量。